FDN304P厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDN304P UMW(友台半导体) 授权代理品牌	SOT-23 塑封 MOSFET VDS=20V ID=2.4A SOT23 下载数据手册未分类	+5：￥0.27804 +20：￥0.253509 +100：￥0.228967 +500：￥0.204437 +1000：￥0.192993	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDN304P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.08045 +30：￥1.041863 +100：￥1.003275 +500：￥0.9261 +1000：￥0.887513	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 52 毫欧 2.4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1312 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDN304P ON(安森美) 授权代理品牌	MOS场效应管 FDN304P 304P SOT-23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥2.751056 +100：￥1.860133 +800：￥1.3673 +3000：￥0.990748 +6000：￥0.940896	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 52 毫欧 2.4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1312 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDN304P 友台半导体(UMW) 授权代理品牌	场效应管(MOSFET) FDN304P SOT-23 下载数据手册未分类	+5：￥0.44891 +20：￥0.403898 +100：￥0.358765 +500：￥0.336259 +1000：￥0.292094	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDN304P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.182356	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 52 毫欧 2.4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1312 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDN304P UMW(友台半导体) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥0.223003	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDN304P UMW(友台半导体) 授权代理品牌	FDN304P UMW/友台半导体下载数据手册未分类	+15：￥0.117267	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDN304P UMW(友台半导体) 授权代理品牌	FDN304P UMW/友台半导体下载数据手册未分类	+30：￥0.318347 +3000：￥0.26938 +6000：￥0.257225 +9000：￥0.244838	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDN304P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.053698 +6000：￥1.00014 +9000：￥0.928652 +30000：￥0.907275	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 52 毫欧 2.4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1312 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDN304P ON Semiconductor 授权代理品牌	SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.053698 +6000：￥1.00014 +9000：￥0.928652 +30000：￥0.907275	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 52 毫欧 2.4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1312 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

FDN304P参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2.4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	52 毫欧 2.4A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	20 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1312 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	500mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-23-3
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）