FDN338P厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 FDN338P 共 24 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDN338P TECH PUBLIC(台舟电子) 授权代理品牌	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=1.6A P=1.1W SOT23 下载数据手册未分类	+1：￥0.222264 +10：￥0.213444 +100：￥0.192276 +500：￥0.181692	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDN338P HUASHUO(华朔) 授权代理品牌	MOSFETs P-沟道 20V 3A SOT23-3 下载数据手册未分类	+1：￥0.169797 +100：￥0.157669 +300：￥0.145542 +500：￥0.139478 +3000：￥0.13584	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDN338P ON(安森美) 授权代理品牌	MOS场效应管 FDN338P SOT-23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1500：￥2.219866 +3000：￥1.608574 +15000：￥1.447765	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 115 毫欧 1.6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.2 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 451 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDN338P 台舟电子(TECH PUBLIC) 授权代理品牌	场效应管(MOSFET) FDN338P SOT-23 下载数据手册未分类	+20：￥0.64856 +100：￥0.437657 +800：￥0.320408 +3000：￥0.234498 +6000：￥0.222398	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDN338P 华朔(HUASHUO) 授权代理品牌	场效应管(MOSFET) FDN338P SOT23-3 下载数据手册未分类	+1：￥0.331298 +100：￥0.298144 +300：￥0.248534 +500：￥0.21538 +3000：￥0.165649	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDN338P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.12651	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 115 毫欧 1.6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.2 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 451 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDN338P TECH PUBLIC(台舟电子) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥0.288101	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDN338P UMW(友台半导体) 授权代理品牌	20V 1.6A 500MW 115MR@4.5V,1.6A 1 下载数据手册未分类	+1：￥0.17787	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 112mOhm @ 2.8A, 4.5V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id： 1V @ 250µA Supplier Device Package： SOT-23 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 2.5V, 4.5V Vgs (Max)： ±8V Drain to Source Voltage (Vdss)： 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 405 pF @ 10 V

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDN338P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.891146 +6000：￥0.833663 +15000：￥0.77618 +30000：￥0.735898 +75000：￥0.718697	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 115 毫欧 1.6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.2 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 451 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDN338P ON Semiconductor 授权代理品牌	SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.891146 +6000：￥0.833663 +15000：￥0.77618 +30000：￥0.735898 +75000：￥0.718697	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 115 毫欧 1.6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.2 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 451 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

FDN338P参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	115 毫欧 1.6A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	6.2 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	451 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	500mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-23-3
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）