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FDN338P_未分类
FDN338P
TECH PUBLIC(台舟电子)
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MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=1.6A P=1.1W SOT23

未分类
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￥0.25168

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￥0.242

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￥0.218768

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￥0.207152

库存： 1000 +

国内：1~2 天

 暂无参数
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FDN338P_晶体管-FET，MOSFET-单个
FDN338P
ON(安森美)
授权代理品牌
+1500：

￥2.531232

+3000：

￥1.808064

+6000：

￥1.808064

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.6A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 115 毫欧 1.6A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.2 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 451 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-23-3

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营 现货库存
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FDN338P_晶体管-FET，MOSFET-单个
FDN338P
ON(安森美)
授权代理品牌
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￥2.289634

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￥1.827506

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￥1.638454

+100：

￥1.396887

+500：

￥1.281355

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.6A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 115 毫欧 1.6A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.2 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 451 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-23-3

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

FDN338P_未分类
FDN338P
HUASHUO(华朔)
授权代理品牌
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￥0.264892

+100：

￥0.216578

+300：

￥0.192422

+3000：

￥0.174305

库存： 1000 +

国内：1~2 天

类型： P沟道

漏源电压(Vdss)： 20V

连续漏极电流(Id)： 3A

功率(Pd)： 1W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 100mΩ@4.5V,3A

阈值电压(Vgs(th)@Id)： 1V@250uA

FDN338P_未分类
FDN338P
TECH PUBLIC(台舟电子)
授权代理品牌
+10：

￥0.371429

+100：

￥0.30001

+300：

￥0.2643

+3000：

￥0.237517

+6000：

￥0.216092

库存： 1000 +

国内：1~2 天

 暂无参数
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
FDN338P_晶体管-FET，MOSFET-单个
FDN338P
ON(安森美)
授权代理品牌
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￥1.12651

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.6A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 115 毫欧 1.6A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.2 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 451 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-23-3

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

FDN338P_未分类
FDN338P
TECH PUBLIC(台舟电子)
授权代理品牌
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￥0.288101

库存： 1000 +

国内：1~2 天

 暂无参数
FDN338P_未分类
FDN338P
UMW(友台半导体)
授权代理品牌

20V 1.6A 500MW 115MR@4.5V,1.6A 1

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未分类
+1：

￥0.17787

库存： 1000 +

国内：1~2 天

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： P-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 2.8A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 112mOhm @ 2.8A, 4.5V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 400mW (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id： 1V @ 250µA

Supplier Device Package： SOT-23

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 2.5V, 4.5V

Vgs (Max)： ±8V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 20 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 10 nC @ 4.5 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 405 pF @ 10 V

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
FDN338P_晶体管-FET，MOSFET-单个
FDN338P
ON(安森美)
授权代理品牌
+3000：

￥1.100255

+6000：

￥1.029283

+15000：

￥0.958312

+30000：

￥0.908578

+75000：

￥0.887341

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.6A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 115 毫欧 1.6A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.2 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 451 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-23-3

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

FDN338P_晶体管-FET，MOSFET-单个
FDN338P
ON Semiconductor
授权代理品牌

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

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晶体管-FET，MOSFET-单个
1+:

需询价

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.6A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 115 毫欧 1.6A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.2 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 451 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-23-3

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

FDN338P参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳: *
系列: PowerTrench®
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 115 毫欧 1.6A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 6.2 nC 4.5 V
Vgs（最大值）: ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 451 pF 10 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 500mW（Ta）
工作温度: -55°C # 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-23-3
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度: -55°C # 150°C（TJ）