FDN335N厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDN335N ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.620113 +30：￥1.564624 +100：￥1.453658 +500：￥1.342691 +1000：￥1.287213	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 1.7A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 310 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDN335N UMW(友台半导体) 授权代理品牌	SOT-23 MOSFETS ROHS 下载数据手册未分类	+5：￥0.2249 +20：￥0.205055 +100：￥0.18521 +500：￥0.165365 +1000：￥0.156104	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 70mOhm @ 1.7A, 4.5V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id： 1.5V @ 250µA Supplier Device Package： SOT-23 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 2.5V, 4.5V Vgs (Max)： ±8V Drain to Source Voltage (Vdss)： 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 3.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 310 pF @ 10 V

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDN335N ON(安森美) 授权代理品牌	MOS场效应管 FDN335N SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥2.561812 +200：￥1.731994 +800：￥1.272678 +3000：￥0.922625 +6000：￥0.876524	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 1.7A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 310 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDN335N 友台半导体(UMW) 授权代理品牌	场效应管(MOSFET) FDN335N SOT-23 下载数据手册未分类	+5：￥0.362758 +20：￥0.326337 +100：￥0.289795 +500：￥0.271645 +1000：￥0.236313	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDN335N ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.108723	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 1.7A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 310 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDN335N UMW(友台半导体) 授权代理品牌	SOT-23 MOSFETS ROHS 下载数据手册未分类	+1：￥0.225302	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 70mOhm @ 1.7A, 4.5V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id： 1.5V @ 250µA Supplier Device Package： SOT-23 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 2.5V, 4.5V Vgs (Max)： ±8V Drain to Source Voltage (Vdss)： 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 3.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 310 pF @ 10 V

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDN335N UMW(友台半导体) 授权代理品牌	SOT-23 MOSFETS ROHS 下载数据手册未分类	+5：￥0.200047 +50：￥0.192354 +150：￥0.18466 +500：￥0.176966 +2500：￥0.169272	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 70mOhm @ 1.7A, 4.5V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id： 1.5V @ 250µA Supplier Device Package： SOT-23 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 2.5V, 4.5V Vgs (Max)： ±8V Drain to Source Voltage (Vdss)： 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 3.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 310 pF @ 10 V
FDN335N UDU SEMICONDUTOR 授权代理品牌	FDN335N UDU SEMICONDUTOR 下载数据手册未分类	+10：￥1.256357 +100：￥0.317884 +1000：￥0.192249	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDN335N ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3 下载数据手册未分类	+2050：￥1.214619	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 1.7A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 310 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDN335N ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.857922 +6000：￥0.814293 +9000：￥0.756121 +30000：￥0.738657 +75000：￥0.719851	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 1.7A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 310 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

FDN335N参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	70 毫欧 1.7A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	5 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	310 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	500mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-23-3
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）