品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 2 NPN（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 600mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 160V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 200mV 5mA，50mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 50nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 10mA，5V

功率 - 最大值： 700mW

频率 - 跃迁： 300MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

供应商器件封装： SuperSOT™-6

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 2 NPN（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 600mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 160V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 200mV 5mA，50mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 50nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 10mA，5V

功率 - 最大值： 700mW

频率 - 跃迁： 300MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

供应商器件封装： SuperSOT™-6

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 2 NPN（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 600mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 160V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 200mV 5mA，50mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 50nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 10mA，5V

功率 - 最大值： 700mW

频率 - 跃迁： 300MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

供应商器件封装： SuperSOT™-6

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 2 NPN（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 600mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 160V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 200mV 5mA，50mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 50nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 10mA，5V

功率 - 最大值： 700mW

频率 - 跃迁： 300MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

供应商器件封装： SuperSOT™-6

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： SSOT-6

系列： FMB5551

产品种类： 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： NPN

配置： Dual

集电极—发射极最大电压 VCEO： 160 V

集电极—基极电压 VCBO： 180 V

发射极 - 基极电压 VEBO： 6 V

集电极—射极饱和电压： 200 mV

最大直流电集电极电流： 600 mA

Pd-功率耗散： 700 mW

增益带宽产品fT： 300 MHz

商标： onsemi / Fairchild

集电极连续电流： 0.1 A

直流集电极/Base Gain hfe Min： 80

直流电流增益 hFE 最大值： 250

高度： 1 mm

长度： 3 mm

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors

技术： Si

宽度： 1.7 mm

零件号别名： FMB5551_NL

单位重量： 36 mg

温度： -~+ 150 C