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FMG3AT148_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5

晶体管-双极

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¥0.347476

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¥0.335061

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¥0.297829

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¥0.285427

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 4.7 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 1mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 150mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA(ICBO)

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 300mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-74A,SOT-753

供应商器件封装: SMT5

温度:

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FMG3AT148_晶体管-双极
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TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5

晶体管-双极

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¥0.911376

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¥0.71928

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¥0.506304

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 4.7 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 1mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 150mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA(ICBO)

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 300mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-74A,SOT-753

供应商器件封装: SMT5

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FMG3AT148_未分类
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TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5

未分类

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¥0.380323

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¥0.355736

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 4.7 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 1mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 150mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA(ICBO)

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 300mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-74A,SOT-753

供应商器件封装: SMT5

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FMG3AT148_晶体管-双极
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TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5

晶体管-双极

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品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 4.7 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 1mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 150mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA(ICBO)

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 300mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-74A,SOT-753

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¥1.155806

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¥0.310506

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¥0.293115

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¥0.282154

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

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零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 4.7 千欧

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不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 1mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 150mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA(ICBO)

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 300mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-74A,SOT-753

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 4.7 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 1mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 150mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA(ICBO)

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 300mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-74A,SOT-753

供应商器件封装: SMT5

温度:

自营 国内现货
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晶体管-双极

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¥0.958518

+6000:

¥0.900426

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¥0.842335

+30000:

¥0.822056

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 4.7 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 1mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 150mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA(ICBO)

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 300mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-74A,SOT-753

供应商器件封装: SMT5

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晶体管-双极

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¥1.656317

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¥1.555933

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¥1.455551

+30000:

¥1.420511

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 4.7 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 1mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 150mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA(ICBO)

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 300mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-74A,SOT-753

供应商器件封装: SMT5

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¥5.800418

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¥4.723198

+100:

¥3.212722

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¥2.409187

+1000:

¥1.80689

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)

功率-最大值: 300mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-74A, SOT-753

FMG3AT148_晶体管-双极
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¥5.800418

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¥4.723198

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¥3.212722

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¥2.409187

+1000:

¥1.80689

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)

功率-最大值: 300mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-74A, SOT-753

FMG3AT148参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
电阻器 - 基极 (R1): 4.7 千欧
电阻器 - 发射极 (R2): -
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 1mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 150mV 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA(ICBO)
频率 - 跃迁: 250MHz
功率 - 最大值: 300mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-74A,SOT-753
供应商器件封装: SMT5
温度: