品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 4 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 400 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.5V 500mA，2.5A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 8 2A，5V

功率 - 最大值： 30 W

频率 - 跃迁： -

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

供应商器件封装： TO-252AA

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 4 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 400 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.5V 500mA，2.5A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 8 2A，5V

功率 - 最大值： 30 W

频率 - 跃迁： -

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

供应商器件封装： TO-252AA

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 4 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 400 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.5V 500mA，2.5A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 8 2A，5V

功率 - 最大值： 30 W

频率 - 跃迁： -

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

供应商器件封装： TO-252AA

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： DPAK-3

系列： FJD5304D

产品种类： 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： NPN

配置： Single

集电极—发射极最大电压 VCEO： 400 V

集电极—基极电压 VCBO： 700 V

发射极 - 基极电压 VEBO： 12 V

集电极—射极饱和电压： 1.5 V

最大直流电集电极电流： 4 A

Pd-功率耗散： 30 W

增益带宽产品fT： -

商标： onsemi / Fairchild

高度： 2.3 mm

长度： 6.6 mm

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors

技术： Si

宽度： 6.1 mm

单位重量： 260.370 mg

温度： -~+ 150 C