品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 600 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.6V 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 10nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 150mA，10V

功率 - 最大值： 325 mW

频率 - 跃迁： 200MHz

工作温度： -

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SC-70，SOT-323

供应商器件封装： SOT-323

温度： -

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 600 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.6V 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 10nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 150mA，10V

功率 - 最大值： 325 mW

频率 - 跃迁： 200MHz

工作温度： -

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SC-70，SOT-323

供应商器件封装： SOT-323

温度： -

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 600 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.6V 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 10nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 150mA，10V

功率 - 最大值： 325 mW

频率 - 跃迁： 200MHz

工作温度： -

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SC-70，SOT-323

供应商器件封装： SOT-323

温度： -

Packaging： Bulk

Package / Case： SC-70, SOT-323

Mounting Type： Surface Mount

Transistor Type： PNP

Operating Temperature： -

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 1.6V @ 50mA, 500mA

Current - Collector Cutoff (Max)： 10nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 100 @ 150mA, 10V

Frequency - Transition： 200MHz

Supplier Device Package： SC-70 (SOT323)

Part Status： Active

Current - Collector (Ic) (Max)： 600 mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 60 V

Power - Max： 325 mW