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FJP3835TU参数规格
属性 | 参数值 |
---|---|
品牌: | Fairchild Semiconductor |
包装: | Tube |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | Obsolete |
晶体管类型: | NPN |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): | 8 A |
电压 - 集射极击穿(最大值): | 120 V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): | 500mV 300mA, 3A |
电流 - 集电极截止(最大值): | 100µA (ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): | 120 3A, 4V |
功率 - 最大值: | 50 W |
频率 - 跃迁: | 30MHz |
工作温度: | 150°C (TJ) |
安装类型: | Through Hole |
封装/外壳: | TO-220-3 |
供应商器件封装: | TO-220-3 |
温度: | 150°C (TJ) |