品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 8 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 400 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 3V 2A，8A

电流 - 集电极截止（最大值）： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 15 2A，5V

功率 - 最大值： 40 W

频率 - 跃迁： 4MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-220-3 整包

供应商器件封装： TO-220F-3

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 8 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 400 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 3V 2A，8A

电流 - 集电极截止（最大值）： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 15 2A，5V

功率 - 最大值： 40 W

频率 - 跃迁： 4MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-220-3 整包

供应商器件封装： TO-220F-3

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 8 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 400 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 3V 2A，8A

电流 - 集电极截止（最大值）： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 15 2A，5V

功率 - 最大值： 40 W

频率 - 跃迁： 4MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-220-3 整包

供应商器件封装： TO-220F-3

温度： 150°C（TJ）

品牌： Fairchild Semiconductor

包装： Bulk

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 8 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 400 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 3V 2A, 8A

电流 - 集电极截止（最大值）： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 15 2A, 5V

功率 - 最大值： 40 W

频率 - 跃迁： 4MHz

工作温度： 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-220-3 Full Pack

供应商器件封装： TO-220F-3

温度： 150°C (TJ)

品牌： onsemi

包装： Bulk

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 8 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 400 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 3V 2A, 8A

电流 - 集电极截止（最大值）： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 15 2A, 5V

功率 - 最大值： 40 W

频率 - 跃迁： 4MHz

工作温度： 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-220-3 Full Pack

供应商器件封装： TO-220F-3

温度： 150°C (TJ)

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： TO-220F-3

系列： FJPF13007

产品种类： 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格： Through Hole

晶体管极性： NPN

配置： Single

集电极—发射极最大电压 VCEO： 400 V

集电极—基极电压 VCBO： 700 V

发射极 - 基极电压 VEBO： 9 V

集电极—射极饱和电压： 3 V

最大直流电集电极电流： 8 A

Pd-功率耗散： 40 W

增益带宽产品fT： 4 MHz

商标： onsemi / Fairchild

直流集电极/Base Gain hfe Min： 15

直流电流增益 hFE 最大值： 15

高度： 9.19 mm

长度： 10.16 mm

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors

技术： Si

宽度： 4.7 mm

单位重量： 2.270 g

温度： -~+ 150 C