品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 4 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 400 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.5V 500mA，2.5A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 8 2A，5V

功率 - 最大值： 30 W

频率 - 跃迁： -

工作温度： -

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-225AA，TO-126-3

供应商器件封装： TO-126-3

温度： -

品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 4 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 400 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.5V 500mA，2.5A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 8 2A，5V

功率 - 最大值： 30 W

频率 - 跃迁： -

工作温度： -

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-225AA，TO-126-3

供应商器件封装： TO-126-3

温度： -

品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 4 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 400 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.5V 500mA，2.5A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 8 2A，5V

功率 - 最大值： 30 W

频率 - 跃迁： -

工作温度： -

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-225AA，TO-126-3

供应商器件封装： TO-126-3

温度： -

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-225AA, TO-126-3

Mounting Type： Through Hole

Transistor Type： NPN

Operating Temperature： -

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 1.5V @ 500mA, 2.5A

Current - Collector Cutoff (Max)： 100µA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 8 @ 2A, 5V

Frequency - Transition： -

Supplier Device Package： TO-126-3

Part Status： Active

Current - Collector (Ic) (Max)： 4 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 400 V

Power - Max： 30 W

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-225AA, TO-126-3

Mounting Type： Through Hole

Transistor Type： NPN

Operating Temperature： -

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 1.5V @ 500mA, 2.5A

Current - Collector Cutoff (Max)： 100µA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 8 @ 2A, 5V

Frequency - Transition： -

Supplier Device Package： TO-126-3

Current - Collector (Ic) (Max)： 4 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 400 V

Power - Max： 30 W