Packaging： Tube

Package / Case： TO-220-3

Mounting Type： Through Hole

Transistor Type： NPN

Operating Temperature： -

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 1.5V @ 500mA, 2.5A

Current - Collector Cutoff (Max)： 250mA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 8 @ 2A, 5V

Frequency - Transition： -

Supplier Device Package： TO-220-3

Current - Collector (Ic) (Max)： 4 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 400 V

Power - Max： 70 W

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： TO-220-3

系列： FJP5304D

产品种类： 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格： Through Hole

晶体管极性： NPN

配置： Single

集电极—发射极最大电压 VCEO： 400 V

集电极—基极电压 VCBO： 700 V

发射极 - 基极电压 VEBO： 12 V

集电极—射极饱和电压： 1.5 V

最大直流电集电极电流： 4 A

Pd-功率耗散： 70 W

增益带宽产品fT： -

商标： onsemi / Fairchild

集电极连续电流： 4 A

直流集电极/Base Gain hfe Min： 8

直流电流增益 hFE 最大值： 40

高度： 9.4 mm

长度： 10.67 mm

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors

技术： Si

宽度： 4.83 mm

零件号别名： FJP5304DTU_NL

单位重量： 1.800 g

温度： -~+ 150 C