FDS6892A厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

锐单电子商城，一站式电子元器件采购平台！

电话：400-990-0325

搜索 FDS6892A 共 11 条相关记录

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS6892A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC 下载数据手册未分类	+1：￥2.930312 +10：￥2.405166 +30：￥2.184605 +100：￥1.901027 +500：￥1.774992	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18 毫欧 7.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1333pF 10V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS6892A ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC 下载数据手册未分类	+778：￥3.719258 +3888：￥3.645633	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18 毫欧 7.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1333pF 10V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS6892A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18 毫欧 7.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1333pF 10V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS6892A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18 毫欧 7.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1333pF 10V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDS6892A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC
	FDS6892A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC
	FDS6892A ON Semiconductor 授权代理品牌	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7 下载数据手册未分类	+584：￥5.75808	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Power - Max： 900mW FET Type： 2 N-Channel (Dual) Drain to Source Voltage (Vdss)： 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 7.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1333pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs： 18mOhm @ 7.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 17nC @ 4.5V FET Feature： Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id： 1.5V @ 250µA Supplier Device Package： 8-SOIC Part Status： Active
	FDS6892A ON(安森美) 授权代理品牌	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7 下载数据手册未分类	+209：￥5.75808	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Part Status： Active

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS6892A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 2500

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS6892A 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin SOIC T/R 下载数据手册未分类	+1：￥6.809877 +10：￥6.495515 +100：￥5.843213 +500：￥5.162095 +1000：￥4.832013	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDS6892A参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	停产
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	7.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	18 毫欧 7.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	17nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1333pF 10V
功率 - 最大值:	900mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SOIC
温度:	-55°C # 150°C（TJ）