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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS8949 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥6.589144 +10：￥5.507344 +30：￥4.917272 +100：￥4.239781 +500：￥3.627854	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 955pF 20V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDS8949 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	2个N沟道 60V 7A 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS8949 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥4.86178	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 955pF 20V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS8949 JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	FDS8949 JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥1.479275 +150：￥1.453558 +500：￥1.414877 +11500：￥1.389158 +16400：￥1.299148	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDS8949 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOIC 下载数据手册未分类	+2500：￥4.710239 +5000：￥4.626895 +7500：￥4.54355 +10000：￥4.460204	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 955pF 20V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDS8949 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDS8949 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥2.786961 +4000：￥2.465388 +12000：￥2.422492 +20000：￥2.358198 +28000：￥2.3153	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDS8949 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOIC 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 955pF 20V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS8949 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥3.000578 +5000：￥2.857655 +12500：￥2.725802	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 955pF 20V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS8949 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥7.340209 +5000：￥6.99058 +12500：￥6.668036	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 955pF 20V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDS8949 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥17.798761 +10：￥14.517597 +100：￥11.292153 +500：￥9.571709 +1000：￥7.797252	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC

FDS8949参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	6A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	29 毫欧 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	11nC 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	955pF 20V
功率 - 最大值:	2W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SOIC
温度:	-55°C # 150°C（TJ）