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自营 国内现货
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FW297-TL-2W_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOIC

射频晶体管

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

FET 类型: 2 N-Channel (Dual)

FET 功能: Logic Level Gate, 4V Drive

漏源电压(Vdss): 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 58mOhm 4.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.6V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 14nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 750pF 20V

功率 - 最大值: 1.8W

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SOIC

温度: 150°C (TJ)

Digi-Key
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FW297-TL-2W_射频晶体管
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射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

FET 类型: 2 N-Channel (Dual)

FET 功能: Logic Level Gate, 4V Drive

漏源电压(Vdss): 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 58mOhm 4.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.6V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 14nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 750pF 20V

功率 - 最大值: 1.8W

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SOIC

温度: 150°C (TJ)

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射频晶体管

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系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: 150°C (TJ)

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供应商器件封装: 8-SOIC

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货期:7~10 天

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安装类型: Surface Mount

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供应商器件封装: 8-SOIC

Mouser
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品牌: onsemi

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

FET 类型: 2 N-Channel (Dual)

FET 功能: Logic Level Gate, 4V Drive

漏源电压(Vdss): 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 58mOhm 4.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.6V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 14nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 750pF 20V

功率 - 最大值: 1.8W

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

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供应商器件封装: 8-SOIC

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FW297-TL-2W参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: Active
FET 类型: 2 N-Channel (Dual)
FET 功能: Logic Level Gate, 4V Drive
漏源电压(Vdss): 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 58mOhm 4.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.6V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 14nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 750pF 20V
功率 - 最大值: 1.8W
工作温度: 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)
供应商器件封装: 8-SOIC
温度: 150°C (TJ)