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FDS4935A_射频晶体管
FDS4935A
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC

射频晶体管

+1:

¥9.518586

+10:

¥8.090786

+30:

¥6.662986

+100:

¥5.949086

+500:

¥5.473193

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: 2 个 P 沟道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 23 毫欧 7A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 21nC 5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1233pF 15V

功率 - 最大值: 900mW

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 8-SOIC

温度: -55°C # 175°C(TJ)

自营 现货库存
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FDS4935A_未分类
FDS4935A
授权代理品牌

2个P沟道 30V 9.5A

未分类

库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
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FDS4935A
授权代理品牌

场效应管(MOSFET)

未分类

+1:

¥2.895727

+10:

¥2.338436

+30:

¥2.108963

+100:

¥1.813927

+500:

¥1.529818

库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
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FDS4935A_未分类
FDS4935A
授权代理品牌
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¥1.849848

+50:

¥1.707552

库存: 1000 +

国内:1~2 天

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FDS4935A
授权代理品牌

FDS4935A VBSEMI/台湾微碧半导体

未分类

+5:

¥2.330183

+200:

¥2.236879

+500:

¥2.180966

+4000:

¥2.143691

库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
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FDS4935A
授权代理品牌

FDS4935A JSMICRO/深圳杰盛微

未分类

+20:

¥1.530496

+4000:

¥1.353843

+12000:

¥1.330343

+20000:

¥1.295035

+24000:

¥1.236228

库存: 1000 +

国内:1~2 天

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FDS4935A
授权代理品牌

FDS4935A TECH PUBLIC/台湾台舟电子

未分类

+3000:

¥1.597523

+6000:

¥1.56974

+9000:

¥1.528065

+21000:

¥1.458608

库存: 1000 +

国内:1~2 天

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FDS4935A
授权代理品牌

FDS4935A VBSEMI/台湾微碧半导体

未分类

+5:

¥2.330183

+200:

¥2.236879

+500:

¥2.180966

+4000:

¥2.143691

库存: 1000 +

国内:1~2 天

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FDS4935A
授权代理品牌

FDS4935A VBSEMI/台湾微碧半导体

未分类

+5:

¥2.207475

+4000:

¥2.030937

+12000:

¥1.94261

+16000:

¥1.854284

库存: 1000 +

国内:1~2 天

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自营 国内现货
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FDS4935A_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC

射频晶体管

+2500:

¥2.291826

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: 2 个 P 沟道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 23 毫欧 7A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 21nC 5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1233pF 15V

功率 - 最大值: 900mW

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 8-SOIC

温度: -55°C # 175°C(TJ)

FDS4935A参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: PowerTrench®
零件状态: 在售
FET 类型: 2 个 P 沟道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 23 毫欧 7A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 21nC 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1233pF 15V
功率 - 最大值: 900mW
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
供应商器件封装: 8-SOIC
温度: -55°C # 175°C(TJ)