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自营 现货库存
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FDS6990AS_未分类
FDS6990AS
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC

未分类

+1:

¥5.314472

+10:

¥4.526754

+30:

¥4.138147

+100:

¥3.712044

+500:

¥3.48329

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®, SyncFET™

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 22 毫欧 7.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 14nC 5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 550pF 15V

功率 - 最大值: 900mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 8-SOIC

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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FDS6990AS_未分类
FDS6990AS
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC

未分类

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®, SyncFET™

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 22 毫欧 7.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 14nC 5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 550pF 15V

功率 - 最大值: 900mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 8-SOIC

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
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FDS6990AS_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC

射频晶体管

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®, SyncFET™

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 22 毫欧 7.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 14nC 5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 550pF 15V

功率 - 最大值: 900mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 8-SOIC

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®, SyncFET™

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 22 毫欧 7.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 14nC 5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 550pF 15V

功率 - 最大值: 900mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 8-SOIC

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®, SyncFET™

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SOIC

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MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®, SyncFET™

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SOIC

Mouser
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FDS6990AS
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC

未分类

+1:

¥12.212445

+10:

¥11.644424

+100:

¥10.465781

+250:

¥10.45158

+500:

¥9.343941

库存: 0

货期:7~10 天

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

標準包裝數量: 2500

艾睿
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FDS6990AS_未分类
FDS6990AS
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC T/R

未分类

+2500:

¥5.525559

+5000:

¥5.262845

+10000:

¥4.955869

库存: 0

货期:7~10 天

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FDS6990AS参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: PowerTrench®, SyncFET™
零件状态: 停产
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 22 毫欧 7.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 14nC 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 550pF 15V
功率 - 最大值: 900mW
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
供应商器件封装: 8-SOIC
温度: -55°C # 150°C(TJ)