品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： N 和 P 沟道

FET 功能： 逻辑电平栅极，4.5V 驱动

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A，4.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 39 毫欧 6A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.1nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 490pF 10V

功率 - 最大值： 1.8W

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

供应商器件封装： 8-SOIC

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： N 和 P 沟道

FET 功能： 逻辑电平栅极，4.5V 驱动

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A，4.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 39 毫欧 6A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.1nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 490pF 10V

功率 - 最大值： 1.8W

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

供应商器件封装： 8-SOIC

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： Cut Tape,Reel

封装/外壳： SOIC-8

系列： FW4604

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel, P-Channel

通道数量： 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 30 V

Id-连续漏极电流： 6 A, 4.5 A

Rds On-漏源导通电阻： 39 mOhms, 65 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 4 V

Qg-栅极电荷： 120 nC

Pd-功率耗散： 2.2 W

通道模式： Enhancement

商标： onsemi

配置： Dual

开发套件： -

下降时间： 40 ns

正向跨导 - 最小值： -

产品类型： MOSFET

上升时间： 42 ns

晶体管类型： 1 N-Channel

典型关闭延迟时间： 43 ns

典型接通延迟时间： 7.5 ns

单位重量： 74 mg

温度： - 55 C~+ 150 C