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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMB3900AN ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 25V 7A 8MLP MICRO 下载数据手册射频晶体管	+1：￥6.44688 +10：￥5.3724 +30：￥4.29792 +100：￥3.5816	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 25V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 23 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 890pF 13V 功率 - 最大值： 800mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装： 8-MLP，MicroFET（3x1.9）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMB3900AN ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 25V 7A 8MLP MICRO 下载数据手册	+1：￥3.223545 +10：￥2.819236 +30：￥2.622545 +100：￥2.425854	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 25V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 23 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 890pF 13V 功率 - 最大值： 800mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装： 8-MLP，MicroFET（3x1.9）温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMB3900AN ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 25V 7A 8MLP MICRO 下载数据手册射频晶体管	+1：￥4.529756	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 25V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 23 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 890pF 13V 功率 - 最大值： 800mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装： 8-MLP，MicroFET（3x1.9）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMB3900AN ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 25V 7A 8MLP MICRO 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 25V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 23 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 890pF 13V 功率 - 最大值： 800mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装： 8-MLP，MicroFET（3x1.9）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMB3900AN ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 25V 7A 8MLP MICRO 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 25V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 23 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 890pF 13V 功率 - 最大值： 800mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装： 8-MLP，MicroFET（3x1.9）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDMB3900AN ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 25V 7A 8MLP MICRO 下载数据手册射频晶体管	+1：￥13.797008 +10：￥12.110707 +100：￥9.288592 +500：￥7.343075 +1000：￥5.87446	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装： 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
	FDMB3900AN ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 25V 7A 8MLP MICRO 下载数据手册射频晶体管	+1：￥13.797008 +10：￥12.110707 +100：￥9.288592 +500：￥7.343075 +1000：￥5.87446	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装： 8-MLP, MicroFET (3x1.9)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMB3900AN ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 25V 7A 8MLP MICRO 下载数据手册晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装： MouseReel,Cut Tape,Reel 封装/外壳： MicroFET-8 系列： FDMB3900AN 产品种类： MOSFET 技术： Si 安装风格： SMD/SMT 晶体管极性： N-Channel 通道数量： 2 Channel Vds-漏源极击穿电压： 25 V Id-连续漏极电流： 7 A Rds On-漏源导通电阻： 23 mOhms Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压： 1 V Qg-栅极电荷： 17 nC Pd-功率耗散： 1.6 W 通道模式： Enhancement 商标名： PowerTrench 商标： onsemi / Fairchild 配置： Dual 高度： 0.8 mm 长度： 3 mm 产品类型： MOSFET 晶体管类型： 2 N-Channel 宽度： 1.9 mm 单位重量： 67 mg 温度： - 55 C~+ 150 C

FDMB3900AN参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	25V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	7A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	23 毫欧 7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	17nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	890pF 13V
功率 - 最大值:	800mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-PowerWDFN
供应商器件封装:	8-MLP，MicroFET（3x1.9）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）