Packaging： Bulk

Package / Case： TO-220-3 Full Pack

Mounting Type： Through Hole

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 11.8A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 150mOhm @ 5.9A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 50W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 5V @ 250µA

Supplier Device Package： TO-220F-3

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V

Vgs (Max)： ±30V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 200 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 40 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1600 pF @ 25 V

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-220-3 Full Pack

Mounting Type： Through Hole

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 11.8A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 150mOhm @ 5.9A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 50W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 5V @ 250µA

Supplier Device Package： TO-220F-3

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V

Vgs (Max)： ±30V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 200 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 40 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1600 pF @ 25 V

Packaging： Tube

Package / Case： TO-220-3 Full Pack

Mounting Type： Through Hole

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 11.8A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 150mOhm @ 5.9A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 50W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 5V @ 250µA

Supplier Device Package： TO-220F-3

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V

Vgs (Max)： ±30V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 200 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 40 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1600 pF @ 25 V

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： TO-220-3

系列： FQPF19N20

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： Through Hole

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 200 V

Id-连续漏极电流： 11.8 A

Rds On-漏源导通电阻： 150 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 30 V, + 30 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 3 V

Qg-栅极电荷： 40 nC

Pd-功率耗散： 50 W

通道模式： Enhancement

商标名： QFET

商标： onsemi / Fairchild

配置： Single

下降时间： 80 ns

正向跨导 - 最小值： 8.7 S

高度： 16.07 mm

长度： 10.36 mm

产品类型： MOSFET

上升时间： 190 ns

晶体管类型： 1 N-Channel

类型： MOSFET

典型关闭延迟时间： 55 ns

典型接通延迟时间： 20 ns

宽度： 4.9 mm

零件号别名： FQPF19N20_NL

单位重量： 2 g

温度： - 55 C~+ 150 C