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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS4895C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 40V 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥2.892666 +200：￥1.119499 +500：￥1.080161 +1000：￥1.06071	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.5A，4.4A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 39 毫欧 5.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 410pF 20V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS4895C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 40V 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.5A，4.4A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 39 毫欧 5.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 410pF 20V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS4895C Rochester(罗彻斯特电子) 授权代理品牌	P-CHANNEL POWER MOSFET 下载数据手册射频晶体管	+802：￥4.571728	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Fairchild Semiconductor 包装： Bulk 封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态： Obsolete FET 类型： N and P-Channel FET 功能： Standard 漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.5A, 4.4A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 39mOhm 5.5A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 410pF 20V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C (TJ)
	FDS4895C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 40V 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.5A，4.4A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 39 毫欧 5.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 410pF 20V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

FDS4895C参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	停产
FET 类型:	N 和 P 沟道
FET 功能:	标准
漏源电压（Vdss）:	40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	5.5A，4.4A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	39 毫欧 5.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	10nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	410pF 20V
功率 - 最大值:	900mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SOIC
温度:	-55°C # 150°C（TJ）