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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDC6000NZ_F077_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 20V 7.3A 6-SSOP

射频晶体管

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7.3A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 20 毫欧 6.5A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 11nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 840pF 10V

功率 - 最大值: 1.2W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-SSOT 扁平引线,SuperSOT™-6 FLMP

供应商器件封装: SuperSOT™-6 FLMP

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDC6000NZ_F077_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 20V 7.3A 6-SSOP

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7.3A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 20 毫欧 6.5A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 11nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 840pF 10V

功率 - 最大值: 1.2W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-SSOT 扁平引线,SuperSOT™-6 FLMP

供应商器件封装: SuperSOT™-6 FLMP

温度: -55°C # 150°C(TJ)

FDC6000NZ_F077参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: PowerTrench®
零件状态: 停产
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7.3A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 20 毫欧 6.5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 11nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 840pF 10V
功率 - 最大值: 1.2W
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-SSOT 扁平引线,SuperSOT™-6 FLMP
供应商器件封装: SuperSOT™-6 FLMP
温度: -55°C # 150°C(TJ)