Packaging： Bulk

Package / Case： TO-220-3 Full Pack, Formed Leads

Mounting Type： Through Hole

Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 8.8A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 430mOhm @ 4.4A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 38W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 250µA

Supplier Device Package： TO-220F-3 (Y-Forming)

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V

Vgs (Max)： ±30V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 250 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 35 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 710 pF @ 25 V

Packaging： Tube

Package / Case： TO-220-3 Full Pack, Formed Leads

Mounting Type： Through Hole

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 8.8A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 430mOhm @ 4.4A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 38W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 250µA

Supplier Device Package： TO-220F-3 (Y-Forming)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V

Vgs (Max)： ±30V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 250 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 35 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 710 pF @ 25 V

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： TO-220-3

系列： FQPF9N25C

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： Through Hole

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 250 V

Id-连续漏极电流： 8.8 A

Rds On-漏源导通电阻： 430 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 30 V, + 30 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 2 V

Qg-栅极电荷： 35 nC

Pd-功率耗散： 38 W

通道模式： Enhancement

商标： onsemi / Fairchild

配置： Single

下降时间： 65 ns

高度： 16.3 mm

长度： 10.67 mm

产品类型： MOSFET

上升时间： 85 ns

晶体管类型： 1 N-Channel

典型关闭延迟时间： 90 ns

典型接通延迟时间： 15 ns

宽度： 4.7 mm

单位重量： 2 g

温度： - 55 C~+ 150 C