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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FD6M043N08_射频晶体管
FD6M043N08
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 75V 65A EPM15

射频晶体管

+1:

¥51.91546

+200:

¥20.09525

+500:

¥19.384977

+1000:

¥19.035304

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: Power-SPM™

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 75V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 65A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.3 毫欧 40A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 148nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 6180pF 25V

功率 - 最大值: -

工作温度: -40°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: EPM15

供应商器件封装: EPM15

温度: -40°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FD6M043N08_射频晶体管

N-CHANNEL POWER MOSFET

射频晶体管

+42:

¥102.727757

库存: 0

货期:7~10 天

系列: Power-SPM™

安装类型: Through Hole

工作温度: -40°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: EPM15

供应商器件封装: EPM15

FD6M043N08_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 75V 65A EPM15

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: Power-SPM™

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 75V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 65A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.3 毫欧 40A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 148nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 6180pF 25V

功率 - 最大值: -

工作温度: -40°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: EPM15

供应商器件封装: EPM15

温度: -40°C # 150°C(TJ)

FD6M043N08参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: Power-SPM™
零件状态: 停产
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 75V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 65A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.3 毫欧 40A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 148nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 6180pF 25V
功率 - 最大值: -
工作温度: -40°C # 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: EPM15
供应商器件封装: EPM15
温度: -40°C # 150°C(TJ)