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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDS6984S_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/8.5A 8SOIC

射频晶体管

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®, SyncFET™

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.5A,8.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 19 毫欧 8.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 12nC 5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1233pF 15V

功率 - 最大值: 900mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 8-SOIC

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDS6984S_射频晶体管

N-CHANNEL POWER MOSFET

射频晶体管

+217:

¥17.051306

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Fairchild Semiconductor

包装: Bulk

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®, SyncFET™

零件状态: Obsolete

FET 类型: 2 N-Channel (Dual)

FET 功能: Logic Level Gate

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.5A, 8.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 19mOhm 8.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 12nC 5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1233pF 15V

功率 - 最大值: 900mW

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SOIC

温度: -55°C # 150°C (TJ)

FDS6984S_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/8.5A 8SOIC

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®, SyncFET™

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.5A,8.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 19 毫欧 8.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 12nC 5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1233pF 15V

功率 - 最大值: 900mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 8-SOIC

温度: -55°C # 150°C(TJ)

FDS6984S_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/8.5A 8SOIC

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®, SyncFET™

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SOIC

FDS6984S_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/8.5A 8SOIC

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®, SyncFET™

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SOIC

FDS6984S参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: PowerTrench®, SyncFET™
零件状态: 停产
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.5A,8.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 19 毫欧 8.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 12nC 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1233pF 15V
功率 - 最大值: 900mW
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
供应商器件封装: 8-SOIC
温度: -55°C # 150°C(TJ)