品牌： onsemi

包装： 卷带（TR）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 163A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.8 毫欧 28A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 88 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6540 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 75W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-PQFN（5x6），Power56

封装/外壳： 8-PowerSMD，扁平引线

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 卷带（TR）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 163A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.8 毫欧 28A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 88 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6540 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 75W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-PQFN（5x6），Power56

封装/外壳： 8-PowerSMD，扁平引线

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 卷带（TR）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 163A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.8 毫欧 28A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 88 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6540 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 75W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-PQFN（5x6），Power56

封装/外壳： 8-PowerSMD，扁平引线

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： Cut Tape,Reel

封装/外壳： Power-56-8

系列： FDMS2D4N03S

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 30 V

Id-连续漏极电流： 28 A

Rds On-漏源导通电阻： 1.8 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 16 V, + 16 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 1 V

Qg-栅极电荷： 88 nC

Pd-功率耗散： 2.5 W

通道模式： Enhancement

商标： onsemi / Fairchild

配置： Single

高度： 1.1 mm

长度： 6 mm

产品类型： MOSFET

宽度： 5 mm

单位重量： 68.100 mg

温度： - 55 C~+ 150 C