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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMJ1023PZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 2.9A SC75 下载数据手册射频晶体管	+1：￥2.345429 +200：￥0.907729 +500：￥0.87582 +1000：￥0.860085	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 112 毫欧 2.9A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 400pF 10V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-WFDFN 裸露焊盘供应商器件封装： SC-75，MicroFET 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	FDMJ1023PZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 2.9A SC75 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 112 毫欧 2.9A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 400pF 10V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-WFDFN 裸露焊盘供应商器件封装： SC-75，MicroFET 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMJ1023PZ Rochester(罗彻斯特电子) 授权代理品牌	SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET 下载数据手册射频晶体管	+919：￥4.112617	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Fairchild Semiconductor 包装： Bulk 封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态： Obsolete FET 类型： 2 P-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 112mOhm 2.9A, 4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 400pF 10V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-WFDFN Exposed Pad 供应商器件封装： SC-75, MicroFET 温度： -55°C # 150°C (TJ)
	FDMJ1023PZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 2.9A SC75 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 112 毫欧 2.9A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 400pF 10V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-WFDFN 裸露焊盘供应商器件封装： SC-75，MicroFET 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDMJ1023PZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 2.9A SC75 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 6-WFDFN Exposed Pad 供应商器件封装： SC-75, MicroFET
	FDMJ1023PZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 2.9A SC75 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 6-WFDFN Exposed Pad 供应商器件封装： SC-75, MicroFET

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMJ1023PZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 2.9A SC75 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 112 毫欧 2.9A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 400pF 10V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-WFDFN 裸露焊盘供应商器件封装： SC-75，MicroFET 温度： -55°C # 150°C（TJ）

FDMJ1023PZ参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	停产
FET 类型:	2 个 P 沟道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2.9A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	112 毫欧 2.9A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	6.5nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	400pF 10V
功率 - 最大值:	700mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	6-WFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装:	SC-75，MicroFET
温度:	-55°C # 150°C（TJ）