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自营 国内现货
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FDMC6890NZ_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 20V 4A POWER33

射频晶体管

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: Active

FET 类型: 2 N-Channel (Dual)

FET 功能: Logic Level Gate

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 68mOhm 4A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 3.4nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 270pF 10V

功率 - 最大值: 1.92W, 1.78W

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 6-WDFN Exposed Pad

供应商器件封装: MicroFET 3x3mm

温度: -55°C # 150°C (TJ)

Digi-Key
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FDMC6890NZ_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 20V 4A POWER33

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: Active

FET 类型: 2 N-Channel (Dual)

FET 功能: Logic Level Gate

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 68mOhm 4A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 3.4nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 270pF 10V

功率 - 最大值: 1.92W, 1.78W

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 6-WDFN Exposed Pad

供应商器件封装: MicroFET 3x3mm

温度: -55°C # 150°C (TJ)

FDMC6890NZ_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 20V 4A POWER33

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 6-WDFN Exposed Pad

供应商器件封装: MicroFET 3x3mm

FDMC6890NZ_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 20V 4A POWER33

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 6-WDFN Exposed Pad

供应商器件封装: MicroFET 3x3mm

FDMC6890NZ_未分类
FDMC6890NZ
授权代理品牌

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4

未分类

+742:

¥4.976004

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Bulk

Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad

Mounting Type: Surface Mount

Operating Temperature: -55°C # 150°C (TJ)

Power - Max: 1.92W, 1.78W

FET Type: 2 N-Channel (Dual)

Drain to Source Voltage (Vdss): 20V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 4A, 4.5V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4nC @ 4.5V

FET Feature: Logic Level Gate

Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA

Supplier Device Package: MicroFET 3x3mm

Part Status: Active

Mouser
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FDMC6890NZ_晶体管
FDMC6890NZ
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 20V 4A POWER33

晶体管

+1:

¥15.025633

+10:

¥12.336836

+100:

¥9.584774

+500:

¥8.129659

+1000:

¥7.196488

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳: Power-33-6

系列: FDMC6890NZ

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 20 V

Id-连续漏极电流: 4 A

Rds On-漏源导通电阻: 68 mOhms, 100 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 12 V, + 12 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 600 mV

Qg-栅极电荷: 3.4 nC, 2.6 nC

Pd-功率耗散: 1.92 W

通道模式: Enhancement

商标名: PowerTrench

商标: onsemi / Fairchild

配置: Dual

下降时间: 13 ns, 12 ns

正向跨导 - 最小值: 10 S, 7 S

高度: 0.8 mm

长度: 3 mm

产品: MOSFET Small Signal

产品类型: MOSFET

上升时间: 13 ns, 12 ns

晶体管类型: 2 N-Channel

类型: MOSFET

典型关闭延迟时间: 10 ns, 7 ns

典型接通延迟时间: 4 ns, 4 ns

宽度: 3 mm

单位重量: 165.330 mg

温度: - 55 C~+ 150 C

艾睿
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FDMC6890NZ_未分类
FDMC6890NZ
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 20V 4A 6-Pin MLP EP T/R

未分类

+3000:

¥6.067192

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

FDMC6890NZ参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳: *
系列: PowerTrench®
零件状态: Active
FET 类型: 2 N-Channel (Dual)
FET 功能: Logic Level Gate
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 68mOhm 4A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 3.4nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 270pF 10V
功率 - 最大值: 1.92W, 1.78W
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
封装/外壳: 6-WDFN Exposed Pad
供应商器件封装: MicroFET 3x3mm
温度: -55°C # 150°C (TJ)