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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDD86369 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 80V 90A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥58.292064 +100：￥41.62032 +200：￥31.825872 +500：￥27.022752 +800：￥24.306912	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.9 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 54 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2530 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tj）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-PAK（TO-252）封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDD86369 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 80V 90A TO252 下载数据手册未分类	+1：￥6.536858 +200：￥2.529014 +500：￥2.443285 +1000：￥2.40042	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.9 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 54 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2530 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tj）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-PAK（TO-252）封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDD86369 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 80V 90A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥5.430296 +5000：￥5.302302	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.9 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 54 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2530 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tj）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-PAK（TO-252）封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDD86369 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 80V 90A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥8.988541 +5000：￥8.650604 +12500：￥8.364258	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.9 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 54 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2530 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tj）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-PAK（TO-252）封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDD86369 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 80V 90A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥19.93715 +10：￥16.560296 +100：￥13.178456 +500：￥11.151347 +1000：￥9.461674	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： D-PAK (TO-252)
FDD86369 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 80V 90A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥19.93715 +10：￥16.560296 +100：￥13.178456 +500：￥11.151347 +1000：￥9.461674	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： D-PAK (TO-252)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDD86369 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 80V 90A TO252 下载数据手册未分类	+1：￥22.585086 +10：￥20.40821 +100：￥16.326567 +500：￥13.401391 +1000：￥11.102066	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 2500

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDD86369 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 下载数据手册未分类	+2500：￥43.69293 +5000：￥43.283321 +10000：￥42.874987 +25000：￥42.464102 +30000：￥42.054493	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDD86369参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	7.9 毫欧 80A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	54 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2530 pF 40 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	150W（Tj）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D-PAK（TO-252）
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 175°C（TJ）