FDWS86368-F085厂家价格_数据手册

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	FDWS86368-F085 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 80A POWER56 下载数据手册未分类	+1：￥9.379099 +200：￥3.634007 +500：￥3.507972 +1000：￥3.444954	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 75 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4350 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 214W（Tj）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Power56 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	FDWS86368-F085 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 80A POWER56 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥7.248504 +6000：￥6.975997 +9000：￥6.745098	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 75 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4350 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 214W（Tj）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Power56 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDWS86368-F085 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 80A POWER56 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥12.52539 +6000：￥12.054499 +9000：￥11.655508	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 75 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4350 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 214W（Tj）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Power56 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDWS86368-F085 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 80A POWER56 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥27.787403 +10：￥23.077252 +100：￥18.364608 +500：￥15.539016 +1000：￥13.184687	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： Power56
FDWS86368-F085 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 80A POWER56 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥27.787403 +10：￥23.077252 +100：￥18.364608 +500：￥15.539016 +1000：￥13.184687	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： Power56

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDWS86368-F085 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 80A POWER56 下载数据手册未分类	+1：￥33.0613 +10：￥29.795987 +100：￥23.945633 +500：￥19.727937 +1000：￥16.734732	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 3000

FDWS86368-F085参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	4.5 毫欧 80A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	75 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4350 pF 40 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	214W（Tj）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	Power56
封装/外壳:	8-PowerVDFN
温度:	-55°C # 175°C（TJ）