品牌： Fairchild Semiconductor

包装： Bulk

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： Obsolete

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.8A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V, 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160mOhm 3.4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.61 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 225 pF 50 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 14.9W (Tc)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： TO-252-4

封装/外壳： TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD

温度： -55°C # 150°C (TJ)

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.8A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160 毫欧 3.4A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.61 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 225 pF 50 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 14.9W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： TO-252（DPAK）

封装/外壳： TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 6.8A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 160mOhm @ 3.4A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 14.9W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 2.8V @ 250µA

Supplier Device Package： TO-252 (DPAK)

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 5V, 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 3.61 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 225 pF @ 50 V

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： TO-252-5

系列： FDD1600N10ALZD

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 100 V

Id-连续漏极电流： 6.8 A

Rds On-漏源导通电阻： 160 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 2.8 V

Qg-栅极电荷： 2.71 nC

Pd-功率耗散： 14.9 W

通道模式： Enhancement

商标名： PowerTrench

商标： onsemi / Fairchild

配置： Single

下降时间： 2 ns

正向跨导 - 最小值： 19.6 S

高度： 2.39 mm

长度： 6.73 mm

产品类型： MOSFET

上升时间： 2 ns

晶体管类型： 1 N-Channel

典型关闭延迟时间： 13 ns

典型接通延迟时间： 7 ns

宽度： 6.22 mm

单位重量： 4 g

温度： - 55 C~+ 150 C