品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A，8A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 23.5 毫欧 6A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660pF 15V

功率 - 最大值： 700mW，900mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-PowerWDFN

供应商器件封装： 8-Power33（3x3）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A，8A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 23.5 毫欧 6A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660pF 15V

功率 - 最大值： 700mW，900mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-PowerWDFN

供应商器件封装： 8-Power33（3x3）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Fairchild Semiconductor

包装： Bulk

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： Active

FET 类型： 2 N-Channel (Dual)

FET 功能： Logic Level Gate

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A, 8A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 23.5mOhm 6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660pF 15V

功率 - 最大值： 700mW, 900mW

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 8-PowerWDFN

供应商器件封装： 8-Power33 (3x3)

温度： -55°C # 150°C (TJ)

品牌： onsemi

包装： Bulk

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

FET 类型： -

技术： -

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： -

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： -

工作温度： -

安装类型： -

供应商器件封装： -

封装/外壳： -

温度： -

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： Power-33-8

系列： FDMC7200

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 30 V

Id-连续漏极电流： 6 A, 8 A

Rds On-漏源导通电阻： 10 mOhms, 19 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 2.3 V

Qg-栅极电荷： 3.1 nC, 7 nC

Pd-功率耗散： 2.2 W

通道模式： Enhancement

商标名： PowerTrench

商标： onsemi / Fairchild

配置： Dual

下降时间： 1.3 ns, 6 ns

正向跨导 - 最小值： 29 S, 56 S

高度： 0.8 mm

长度： 3 mm

产品类型： MOSFET

上升时间： 3.1 ns, 4 ns

晶体管类型： 2 N-Channel

典型关闭延迟时间： 35 ns, 38 ns

典型接通延迟时间： 11 ns, 13 ns

宽度： 3 mm

单位重量： 186 mg

温度： - 55 C~+ 150 C