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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDJ129P ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 4.2A SC75-6 下载数据手册未分类	+875：￥3.307446 +4371：￥3.242201	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 4.2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 780 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC75-6 FLMP 封装/外壳： SC-75-6 FLMP 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDJ129P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 4.2A SC75-6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+544：￥2.220075	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 4.2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 780 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC75-6 FLMP 封装/外壳： SC-75-6 FLMP 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDJ129P Rochester(罗彻斯特电子) 授权代理品牌	P-CHANNEL POWER MOSFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+544：￥5.430892	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Fairchild Semiconductor 包装： Bulk 封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态： Obsolete FET 类型： P-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.2A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V, 4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70mOhm 4.2A, 4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 780 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.6W (Ta) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： SC75-6 FLMP 封装/外壳： SC-75-6 FLMP 温度： -55°C # 150°C (TJ)
FDJ129P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 4.2A SC75-6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 4.2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 780 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC75-6 FLMP 封装/外壳： SC-75-6 FLMP 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDJ129P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 4.2A SC75-6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC75-6 FLMP 供应商器件封装： SC75-6 FLMP
FDJ129P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 4.2A SC75-6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC75-6 FLMP 供应商器件封装： SC75-6 FLMP

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDJ129P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 4.2A SC75-6 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 標準包裝數量： 3000

FDJ129P参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	停产
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	70 毫欧 4.2A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	6 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	780 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.6W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SC75-6 FLMP
封装/外壳:	SC-75-6 FLMP
温度:	-55°C # 150°C（TJ）