FDFS2P103A厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDFS2P103A ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC 下载数据手册未分类	+939：￥3.081654 +4691：￥3.021212	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 59 毫欧 5.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8 nC 5 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 535 pF 15 V FET 功能：肖特基二极管（隔离式）功率耗散（最大值）： 900mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDFS2P103A VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDFS2P103A VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥1.438802 +500：￥1.413717 +8000：￥1.376196 +16000：￥1.351216 +28000：￥1.251087	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDFS2P103A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+704：￥2.44971	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 59 毫欧 5.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8 nC 5 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 535 pF 15 V FET 功能：肖特基二极管（隔离式）功率耗散（最大值）： 900mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDFS2P103A Rochester(罗彻斯特电子) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+704：￥5.99264	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Fairchild Semiconductor 包装： Bulk 封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态： Obsolete FET 类型： P-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.3A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 59mOhm 5.3A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8 nC 5 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 535 pF 15 V FET 功能： Schottky Diode (Isolated) 功率耗散（最大值）： 900mW (Ta) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 温度： -55°C # 150°C (TJ)
FDFS2P103A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 59 毫欧 5.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8 nC 5 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 535 pF 15 V FET 功能：肖特基二极管（隔离式）功率耗散（最大值）： 900mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDFS2P103A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC
FDFS2P103A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDFS2P103A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 標準包裝數量： 2500

FDFS2P103A参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	停产
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	5.3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	59 毫欧 5.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	8 nC 5 V
Vgs（最大值）:	±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	535 pF 15 V
FET 功能:	肖特基二极管（隔离式）
功率耗散（最大值）:	900mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-SOIC
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）