品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

零件状态： 最后售卖

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.8A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 8.8A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 40 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1845 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-SOIC

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

零件状态： 最后售卖

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.8A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 8.8A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 40 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1845 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-SOIC

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： Reel

封装/外壳： SOIC-8

系列： FDS4435BZ_F085

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： P-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 30 V

Id-连续漏极电流： 8.8 A

Rds On-漏源导通电阻： 26 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 25 V, + 25 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 3 V

Qg-栅极电荷： 40 nC

Pd-功率耗散： 2.5 W

通道模式： Enhancement

资格： AEC-Q101

商标名： PowerTrench

商标： onsemi / Fairchild

配置： Single

下降时间： 12 ns

正向跨导 - 最小值： 24 S

高度： 1.75 mm

长度： 4.9 mm

产品类型： MOSFET

上升时间： 6 ns

晶体管类型： 1 P-Channel

类型： Power Trench MOSFET

典型关闭延迟时间： 30 ns

典型接通延迟时间： 10 ns

宽度： 3.9 mm

零件号别名： FDS4435BZ_F085

单位重量： 230.400 mg

温度： - 55 C~+ 150 C