品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： -

技术： -

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： -

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： -

工作温度： -

安装类型： -

供应商器件封装： -

封装/外壳： -

温度： -

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： -

技术： -

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： -

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： -

工作温度： -

安装类型： -

供应商器件封装： -

封装/外壳： -

温度： -

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： -

技术： -

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： -

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： -

工作温度： -

安装类型： -

供应商器件封装： -

封装/外壳： -

温度： -

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： TO-3PN-3

系列： FQA7N80C_F109

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： Through Hole

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 800 V

Id-连续漏极电流： 7 A

Rds On-漏源导通电阻： 1.9 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压： - 30 V, + 30 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 3 V

Qg-栅极电荷： 35 nC

Pd-功率耗散： 198 W

通道模式： Enhancement

商标名： QFET

商标： onsemi / Fairchild

配置： Single

下降时间： 60 ns

高度： 20.1 mm

长度： 16.2 mm

产品类型： MOSFET

上升时间： 100 ns

晶体管类型： 1 N-Channel

典型关闭延迟时间： 50 ns

典型接通延迟时间： 35 ns

宽度： 5 mm

零件号别名： FQA7N80C_F109

单位重量： 4.600 g

温度： - 55 C~+ 150 C