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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS6982 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Obsolete FET 类型： 2 N-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.3A, 8.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28mOhm 6.3A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 760pF 10V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C (TJ)

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS6982 Rochester(罗彻斯特电子) 授权代理品牌	N-CHANNEL POWER MOSFET 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Fairchild Semiconductor 包装： Bulk 封装/外壳： * 系列：零件状态： Obsolete FET 类型： 2 N-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.3A, 8.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28mOhm 6.3A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 760pF 10V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C (TJ)
	FDS6982 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Obsolete FET 类型： 2 N-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.3A, 8.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28mOhm 6.3A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 760pF 10V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C (TJ)
	FDS6982 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC
	FDS6982 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS6982 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SOIC 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 2500

FDS6982参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	Obsolete
FET 类型:	2 N-Channel (Dual)
FET 功能:	Logic Level Gate
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	6.3A, 8.6A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	28mOhm 6.3A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	12nC 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	760pF 10V
功率 - 最大值:	900mW
工作温度:	-55°C # 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
封装/外壳:	8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)
供应商器件封装:	8-SOIC
温度:	-55°C # 150°C (TJ)