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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS6898A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥11.773046 +10：￥11.548798	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.4A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 9.4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1821pF 10V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS6898A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+10：￥9.965318 +200：￥6.739095 +800：￥4.946843 +2500：￥3.584625 +5000：￥3.405424	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.4A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 9.4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1821pF 10V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS6898A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC 下载数据手册未分类	+1：￥7.24478 +10：￥6.108344 +30：￥5.540126 +100：￥4.971908	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.4A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 9.4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1821pF 10V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS6898A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥5.387162	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.4A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 9.4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1821pF 10V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS6898A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥2.759778 +5000：￥2.628369 +12500：￥2.507083 +25000：￥2.502275	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.4A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 9.4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1821pF 10V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS6898A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥6.751148 +5000：￥6.429686 +12500：￥6.132989 +25000：￥6.121226	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.4A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 9.4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1821pF 10V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDS6898A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥16.251043 +10：￥13.35681 +100：￥10.386739 +500：￥8.803732 +1000：￥7.171663	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC
	FDS6898A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥16.251043 +10：￥13.35681 +100：￥10.386739 +500：￥8.803732 +1000：￥7.171663	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS6898A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC 下载数据手册未分类	+1：￥17.149502 +10：￥14.095258 +100：￥10.910352 +500：￥9.228066 +1000：￥7.398786	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 2500

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS6898A 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 20V 9.4A 8-Pin SOIC T/R 下载数据手册未分类	+2500：￥5.473375 +5000：￥5.334089 +10000：￥5.281214	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDS6898A参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	9.4A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	14 毫欧 9.4A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	23nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1821pF 10V
功率 - 最大值:	900mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SOIC
温度:	-55°C # 150°C（TJ）