搜索 FQB7P20TM-F085 共 7 条相关记录
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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![]() | FQB7P20TM-F085 | +800: ¥12.201919 | 暂无参数 | ||
FQB7P20TM-F085 | +1: ¥9.093762 +10: ¥8.950533 +25: ¥8.807305 +50: ¥8.665332 +100: ¥8.52336 | 暂无参数 |
FQB7P20TM-F085参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | onsemi |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | Automotive, AEC-Q101, QFET® |
零件状态: | 最后售卖 |
FET 类型: | P 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 200 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 7.3A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 690 毫欧 3.65A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 5V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 25 nC 10 V |
Vgs(最大值): | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 770 pF 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 3.13W(Ta),90W(Tc) |
工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | D²PAK(TO-263) |
封装/外壳: | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
温度: | -55°C # 150°C(TJ) |