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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMA6023PZT ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6MICROFET 下载数据手册未分类	+1：￥6.873253 +10：￥5.813308 +30：￥5.277871 +100：￥4.578526 +500：￥4.261635	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 3.6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 885pF 10V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装： 6-MicroFET（2x2）温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMA6023PZT ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6MICROFET 下载数据手册未分类	+1143：￥2.420032 +5715：￥2.372214	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 3.6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 885pF 10V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装： 6-MicroFET（2x2）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDMA6023PZT ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6MICROFET 下载数据手册未分类	+3000：￥3.122868	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 3.6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 885pF 10V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装： 6-MicroFET（2x2）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDMA6023PZT ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6MICROFET 下载数据手册未分类	+1143：￥2.533988 +5715：￥2.483824	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 3.6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 885pF 10V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装： 6-MicroFET（2x2）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDMA6023PZT VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDMA6023PZT VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥1.657926 +3000：￥1.600696 +9000：￥1.543568 +15000：￥1.500672	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDMA6023PZT ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6MICROFET 下载数据手册未分类	+5：￥7.233725 +100：￥5.409178 +500：￥4.471152 +1000：￥3.581726 +3000：￥3.289348	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDMA6023PZT 授权代理品牌	FDMA6023PZT VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥1.530728	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMA6023PZT ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6MICROFET 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥2.155461 +6000：￥2.052835 +9000：￥1.958089 +30000：￥1.954337	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 3.6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 885pF 10V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装： 6-MicroFET（2x2）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMA6023PZT ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6MICROFET 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥5.272828 +6000：￥5.021779 +9000：￥4.790003 +30000：￥4.780825	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 3.6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 885pF 10V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装： 6-MicroFET（2x2）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDMA6023PZT ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6MICROFET 下载数据手册射频晶体管	+1：￥12.697868	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 6-UDFN Exposed Pad 供应商器件封装： 6-MicroFET (2x2)

FDMA6023PZT参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	2 个 P 沟道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.6A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	60 毫欧 3.6A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	17nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	885pF 10V
功率 - 最大值:	700mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	6-UDFN 裸露焊盘
供应商器件封装:	6-MicroFET（2x2）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）