品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： N 和 P 沟道

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A，2.6A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 66 毫欧 3.4A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.2nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 300pF 10V

功率 - 最大值： 600mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 6-UFDFN 裸露焊盘

供应商器件封装： 6-MicroFET（1.6x1.6）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： N 和 P 沟道

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A，2.6A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 66 毫欧 3.4A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.2nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 300pF 10V

功率 - 最大值： 600mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 6-UFDFN 裸露焊盘

供应商器件封装： 6-MicroFET（1.6x1.6）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： 6-UFDFN Exposed Pad

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ)

Power - Max： 600mW

FET Type： N and P-Channel

Drain to Source Voltage (Vdss)： 20V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 3.8A, 2.6A

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 300pF @ 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 66mOhm @ 3.4A, 4.5V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 4.2nC @ 4.5V

FET Feature： Logic Level Gate

Vgs(th) (Max) @ Id： 1V @ 250µA

Supplier Device Package： 6-MicroFET (1.6x1.6)

Part Status： Active