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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS9945 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥3.615984 +5000：￥3.615984 +7500：￥3.615984	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 3.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 420pF 30V 功率 - 最大值： 1W 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS9945 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥3.813617 +10：￥3.136126 +30：￥2.797381	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 3.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 420pF 30V 功率 - 最大值： 1W 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	FDS9945 TECH PUBLIC(台舟电子) 授权代理品牌	场效应管(MOSFET) 下载数据手册未分类	+1：￥2.393072 +10：￥2.11989 +30：￥1.99969 +100：￥1.846709 +500：￥1.486109	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS9945 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOIC 下载数据手册未分类	+2500：￥25.42978 +5000：￥25.42978	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 3.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 420pF 30V 功率 - 最大值： 1W 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	FDS9945 TECH PUBLIC(台舟电子) 授权代理品牌	FDS9945 TECH PUBLIC/台湾台舟电子下载数据手册未分类	+3000：￥1.518573 +6000：￥1.492179 +9000：￥1.452588 +21000：￥1.386604	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS9945 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥1.908053 +5000：￥1.776488 +12500：￥1.710706 +25000：￥1.65112	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 3.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 420pF 30V 功率 - 最大值： 1W 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS9945 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥3.09001 +5000：￥2.927396 +12500：￥2.71058 +25000：￥2.68379	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 3.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 420pF 30V 功率 - 最大值： 1W 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	FDS9945 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥8.099467 +10：￥7.052768 +100：￥4.879619 +500：￥4.07665 +1000：￥3.469562	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC
	FDS9945 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥8.099467 +10：￥7.052768 +100：￥4.879619 +500：￥4.07665 +1000：￥3.469562	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC
	FDS9945 ON Semiconductor 授权代理品牌	SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) Mounting Type： Surface Mount Configuration： 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) Power - Max： 1W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss)： 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 3.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 420pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs： 100mOhm @ 3.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 13nC @ 5V FET Feature： Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 250µA Supplier Device Package： 8-SOIC Part Status： Active

FDS9945参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	100 毫欧 3.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	13nC 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	420pF 30V
功率 - 最大值:	1W
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SOIC
温度:	-55°C # 175°C（TJ）