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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS86101 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.545608 +10：￥4.37472 +100：￥3.862058 +500：￥3.759525	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12.4A（Ta），60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 毫欧 13A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 55 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3000 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），104W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	FDMS86101 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥12.572263 +200：￥8.502065 +800：￥6.240938 +3000：￥4.522375 +6000：￥4.296226	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12.4A（Ta），60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 毫欧 13A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 55 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3000 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），104W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	FDMS86101 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.517962 +10：￥6.217617 +30：￥5.496417 +100：￥4.687799 +500：￥4.010308	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12.4A（Ta），60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 毫欧 13A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 55 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3000 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），104W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	FDMS86101 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.432118	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12.4A（Ta），60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 毫欧 13A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 55 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3000 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），104W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	FDMS86101 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN 下载数据手册未分类	+1：￥5.47864	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12.4A（Ta），60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 毫欧 13A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 55 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3000 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），104W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDMS86101 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDMS86101 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+20：￥6.431447 +100：￥6.324256 +1000：￥6.163523 +3000：￥5.788302 +10000：￥5.681112	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

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	FDMS86101 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥6.174449 +6000：￥5.942317 +9000：￥5.745551	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12.4A（Ta），60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 毫欧 13A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 55 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3000 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），104W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDMS86101 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥13.89315	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12.4A（Ta），60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 毫欧 13A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 55 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3000 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），104W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMS86101 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥44.213057 +10：￥28.684941 +100：￥19.811733 +500：￥16.021038 +1000：￥14.80296	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)
FDMS86101 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥44.213057 +10：￥28.684941 +100：￥19.811733 +500：￥16.021038 +1000：￥14.80296	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)

FDMS86101参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	12.4A（Ta），60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	8 毫欧 13A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	55 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3000 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta），104W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-PQFN（5x6）
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）