搜索 FDD16AN08A0 共 20 条相关记录
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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FDD16AN08A0 授权代理品牌 | +2500: ¥7.872669 | 暂无参数 | |||
FDD16AN08A0 授权代理品牌 | +1: ¥3.672913 +10: ¥3.581113 +30: ¥3.489314 +50: ¥3.397398 +80: ¥3.305598 | 暂无参数 | |||
FDD16AN08A0 授权代理品牌 | +2500: ¥34.202679 +5000: ¥33.632601 +7500: ¥33.062633 +10000: ¥32.492556 | ||||
FDD16AN08A0 授权代理品牌 | +50: ¥2.182841 +2500: ¥2.050008 +7500: ¥1.993033 +12500: ¥1.936058 | 暂无参数 | |||
FDD16AN08A0 授权代理品牌 | +10: ¥3.796259 +2500: ¥3.638213 +5000: ¥3.47995 +7500: ¥3.226837 | 暂无参数 | |||
FDD16AN08A0 授权代理品牌 | +2500: ¥9.418437 |
FDD16AN08A0参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | onsemi |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | UltraFET™ |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 75 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 9A(Ta),50A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 6V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 16 毫欧 50A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 47 nC 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1874 pF 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 135W(Tc) |
工作温度: | -55°C # 175°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | TO-252AA |
封装/外壳: | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
温度: | -55°C # 175°C(TJ) |