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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDD16AN08A0 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 50A D-PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.697472 +30：￥9.363077 +100：￥8.694286 +500：￥8.025494 +1000：￥7.691099	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： UltraFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A（Ta），50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1874 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 135W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	FDD16AN08A0 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 50A D-PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥36.594432 +100：￥26.128368 +200：￥19.978704 +500：￥16.965072 +800：￥15.258672	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： UltraFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A（Ta），50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1874 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 135W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDD16AN08A0 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 50A D-PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.687912	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： UltraFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A（Ta），50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1874 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 135W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDD16AN08A0 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 50A D-PAK 下载数据手册未分类	+2500：￥7.872669	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDD16AN08A0 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDD16AN08A0 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥3.672913 +10：￥3.581113 +30：￥3.489314 +50：￥3.397398 +80：￥3.305598	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDD16AN08A0 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 50A D-PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥34.202679 +5000：￥33.632601 +7500：￥33.062633 +10000：￥32.492556	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： UltraFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A（Ta），50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1874 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 135W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDD16AN08A0 JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	FDD16AN08A0 JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥2.182841 +2500：￥2.050008 +7500：￥1.993033 +12500：￥1.936058	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDD16AN08A0 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDD16AN08A0 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥3.796259 +2500：￥3.638213 +5000：￥3.47995 +7500：￥3.226837	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDD16AN08A0 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 50A D-PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥9.418437	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： UltraFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A（Ta），50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1874 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 135W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	FDD16AN08A0 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 50A D-PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥6.067745 +5000：￥5.842968 +12500：￥5.618264	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： UltraFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A（Ta），50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1874 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 135W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

FDD16AN08A0参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	UltraFET™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	75 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	9A（Ta），50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	16 毫欧 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	47 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1874 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	135W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-252AA
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDD16AN08A0 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 50A D-PAK 下载数据手册未分类	+2500：￥7.872669	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDD16AN08A0 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDD16AN08A0 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥3.672913 +10：￥3.581113 +30：￥3.489314 +50：￥3.397398 +80：￥3.305598	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDD16AN08A0 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 50A D-PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥34.202679 +5000：￥33.632601 +7500：￥33.062633 +10000：￥32.492556	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： UltraFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A（Ta），50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1874 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 135W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDD16AN08A0 JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	FDD16AN08A0 JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥2.182841 +2500：￥2.050008 +7500：￥1.993033 +12500：￥1.936058	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDD16AN08A0 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDD16AN08A0 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥3.796259 +2500：￥3.638213 +5000：￥3.47995 +7500：￥3.226837	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDD16AN08A0 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 50A D-PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥9.418437	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： UltraFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A（Ta），50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1874 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 135W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）