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	FDMC6686P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V POWER33 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.651518 +30：￥12.215259 +100：￥11.342741 +500：￥10.470222 +1000：￥10.033963	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Ta），56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4m옴 18A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 122 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13200 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），40W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（3.3x3.3），Power33 封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	FDMC6686P 长工微(Innovisionsemi) 授权代理品牌	场效应管(MOSFET) FDMC6686P PQFN8 下载数据手册未分类	+1：￥24.471887 +30：￥22.024662 +100：￥18.353885 +500：￥15.90666 +1000：￥12.235883	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营现货库存

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	FDMC6686P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V POWER33 下载数据手册未分类	+1：￥19.456903 +10：￥17.409366 +30：￥16.115069 +100：￥15.04356 +500：￥14.322148	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Ta），56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4m옴 18A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 122 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13200 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），40W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（3.3x3.3），Power33 封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDMC6686P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V POWER33 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥15.806444 +10：￥14.221424 +30：￥12.553633 +100：￥11.674995 +300：￥11.228036	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Ta），56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4m옴 18A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 122 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13200 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），40W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（3.3x3.3），Power33 封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMC6686P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V POWER33 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥16.279101 +500：￥14.829176 +1000：￥13.544213 +3000：￥12.293978	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Ta），56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4m옴 18A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 122 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13200 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），40W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（3.3x3.3），Power33 封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMC6686P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V POWER33 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥10.988177 +50：￥10.805041 +100：￥10.530336 +500：￥10.072496 +2000：￥9.79779	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Ta），56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4m옴 18A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 122 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13200 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），40W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（3.3x3.3），Power33 封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMC6686P 华轩阳电子(华轩阳电子) 授权代理品牌	FDMC6686P HXY MOSFET/深圳华轩阳电子下载数据手册未分类	+5000：￥6.084477 +15000：￥5.983069 +25000：￥5.830958	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDMC6686P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V POWER33 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥8.502756 +500：￥8.162645 +1000：￥7.65248 +3000：￥7.142315	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Ta），56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4m옴 18A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 122 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13200 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），40W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（3.3x3.3），Power33 封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMC6686P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V POWER33 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Ta），56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4m옴 18A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 122 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13200 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），40W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（3.3x3.3），Power33 封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMC6686P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V POWER33 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Ta），56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4m옴 18A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 122 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13200 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），40W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（3.3x3.3），Power33 封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

FDMC6686P参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	停产
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	18A（Ta），56A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	4m옴 18A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	122 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	13200 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.3W（Ta），40W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-PQFN（3.3x3.3），Power33
封装/外壳:	8-PowerWDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDMC6686P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V POWER33 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥15.806444 +10：￥14.221424 +30：￥12.553633 +100：￥11.674995 +300：￥11.228036	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Ta），56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4m옴 18A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 122 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13200 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），40W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（3.3x3.3），Power33 封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMC6686P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V POWER33 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥16.279101 +500：￥14.829176 +1000：￥13.544213 +3000：￥12.293978	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Ta），56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4m옴 18A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 122 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13200 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），40W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（3.3x3.3），Power33 封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMC6686P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V POWER33 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥10.988177 +50：￥10.805041 +100：￥10.530336 +500：￥10.072496 +2000：￥9.79779	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Ta），56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4m옴 18A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 122 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13200 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），40W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（3.3x3.3），Power33 封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMC6686P 华轩阳电子(华轩阳电子) 授权代理品牌	FDMC6686P HXY MOSFET/深圳华轩阳电子下载数据手册未分类	+5000：￥6.084477 +15000：￥5.983069 +25000：￥5.830958	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDMC6686P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V POWER33 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥8.502756 +500：￥8.162645 +1000：￥7.65248 +3000：￥7.142315	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Ta），56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4m옴 18A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 122 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13200 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），40W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（3.3x3.3），Power33 封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）