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图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
FDMQ8203_射频晶体管
FDMQ8203
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12-MLP

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射频晶体管
+10：

￥914.863536

+100：

￥653.209632

+200：

￥499.49064

+500：

￥424.108368

+800：

￥381.484224

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列： GreenBridge™ PowerTrench®

零件状态： Active

FET 类型： 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)

FET 功能： Logic Level Gate

漏源电压（Vdss）： 100V, 80V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A, 2.6A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110mOhm 3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 210pF 50V

功率 - 最大值： 2.5W

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 12-WDFN Exposed Pad

供应商器件封装： 12-MLP (5x4.5)

温度： -55°C # 150°C (TJ)

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FDMQ8203_未分类
FDMQ8203
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12-MLP

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未分类
+3000：

￥145.261851

+6000：

￥145.261851

+9000：

￥145.261851

+12000：

￥145.261851

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列： GreenBridge™ PowerTrench®

零件状态： Active

FET 类型： 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)

FET 功能： Logic Level Gate

漏源电压（Vdss）： 100V, 80V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A, 2.6A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110mOhm 3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 210pF 50V

功率 - 最大值： 2.5W

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 12-WDFN Exposed Pad

供应商器件封装： 12-MLP (5x4.5)

温度： -55°C # 150°C (TJ)

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
FDMQ8203_射频晶体管
FDMQ8203
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12-MLP

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射频晶体管
+3000：

￥5.17614

+6000：

￥4.984436

+15000：

￥4.792732

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列： GreenBridge™ PowerTrench®

零件状态： Active

FET 类型： 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)

FET 功能： Logic Level Gate

漏源电压（Vdss）： 100V, 80V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A, 2.6A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110mOhm 3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 210pF 50V

功率 - 最大值： 2.5W

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 12-WDFN Exposed Pad

供应商器件封装： 12-MLP (5x4.5)

温度： -55°C # 150°C (TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
FDMQ8203_射频晶体管
FDMQ8203
ON(安森美)
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MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12-MLP

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射频晶体管
+3000：

￥8.944351

+6000：

￥8.613089

+15000：

￥8.281825

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列： GreenBridge™ PowerTrench®

零件状态： Active

FET 类型： 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)

FET 功能： Logic Level Gate

漏源电压（Vdss）： 100V, 80V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A, 2.6A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110mOhm 3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 210pF 50V

功率 - 最大值： 2.5W

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 12-WDFN Exposed Pad

供应商器件封装： 12-MLP (5x4.5)

温度： -55°C # 150°C (TJ)

FDMQ8203_射频晶体管
FDMQ8203
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12-MLP

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射频晶体管
+1：

￥19.500856

+10：

￥17.563351

+100：

￥14.11233

+500：

￥11.59458

+1000：

￥9.606877

库存： 0

货期：7~10 天

系列： GreenBridge™ PowerTrench®

安装类型： Surface Mount

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳： 12-WDFN Exposed Pad

供应商器件封装： 12-MLP (5x4.5)

FDMQ8203_射频晶体管
FDMQ8203
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12-MLP

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射频晶体管
+1：

￥19.500856

+10：

￥17.563351

+100：

￥14.11233

+500：

￥11.59458

+1000：

￥9.606877

库存： 0

货期：7~10 天

系列： GreenBridge™ PowerTrench®

安装类型： Surface Mount

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳： 12-WDFN Exposed Pad

供应商器件封装： 12-MLP (5x4.5)

Mouser
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FDMQ8203_未分类
FDMQ8203
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12-MLP

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未分类
+1：

￥26.233381

+10：

￥23.514067

+100：

￥18.875238

+500：

￥15.484093

+1000：

￥13.260655

库存： 0

货期：7~10 天

封裝： Reel

封裝： Cut Tape

封裝： MouseReel

標準包裝數量： 3000

艾睿
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FDMQ8203_未分类
FDMQ8203
授权代理品牌

Trans MOSFET N/P-CH Si 100V/80V 3.4A/2.6A 12-Pin MLP EP T/R

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未分类
+3000：

￥9.432205

+6000：

￥9.238778

库存： 0

货期：7~10 天

 暂无参数

FDMQ8203参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳: *
系列: GreenBridge™ PowerTrench®
零件状态: Active
FET 类型: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
FET 功能: Logic Level Gate
漏源电压（Vdss）: 100V, 80V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.4A, 2.6A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 110mOhm 3A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 5nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 210pF 50V
功率 - 最大值: 2.5W
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
封装/外壳: 12-WDFN Exposed Pad
供应商器件封装: 12-MLP (5x4.5)
温度: -55°C # 150°C (TJ)