品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 停产

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 25V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A，26A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.6 毫欧 15A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1680pF 13V

功率 - 最大值： 1W

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-PowerTDFN

供应商器件封装： Power56

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 停产

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 25V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A，26A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.6 毫欧 15A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1680pF 13V

功率 - 最大值： 1W

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-PowerTDFN

供应商器件封装： Power56

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 停产

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 25V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A，26A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.6 毫欧 15A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1680pF 13V

功率 - 最大值： 1W

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-PowerTDFN

供应商器件封装： Power56

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： 8-PowerTDFN

Mounting Type： Surface Mount

Configuration： 2 N-Channel (Dual)

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

Power - Max： 1W

Drain to Source Voltage (Vdss)： 25V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 15A, 26A

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1680pF @ 13V

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 5.6mOhm @ 15A, 10V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 27nC @ 10V

FET Feature： Logic Level Gate

Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 250µA

Supplier Device Package： Power56

Part Status： Active

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： 8-PowerTDFN

Mounting Type： Surface Mount

Configuration： 2 N-Channel (Dual)

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

Power - Max： 1W

Drain to Source Voltage (Vdss)： 25V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 15A, 26A

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1680pF @ 13V

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 5.6mOhm @ 15A, 10V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 27nC @ 10V

FET Feature： Logic Level Gate

Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 250µA

Supplier Device Package： Power56

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： Power-56-8

系列： FDMS3602S

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 25 V

Id-连续漏极电流： 15 A

Rds On-漏源导通电阻： 5.6 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 3 V

Qg-栅极电荷： 19 nC, 45 nC

Pd-功率耗散： 2.5 W

通道模式： Enhancement

商标名： Power Stage PowerTrench

商标： onsemi / Fairchild

配置： Dual

下降时间： 1.8 ns, 3.2 ns

正向跨导 - 最小值： 67 S, 132 S

高度： 1.1 mm

长度： 6 mm

产品类型： MOSFET

上升时间： 2 ns, 4.2 ns

晶体管类型： 2 N-Channel

典型关闭延迟时间： 19 nS, 31 nS

典型接通延迟时间： 7.9 nS, 12 nS

宽度： 5 mm

单位重量： 90 mg

温度： - 55 C~+ 150 C