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自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDS8935_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 80V 2.1A 8SOIC

射频晶体管

+1:

¥1.722477

+10:

¥1.680466

+30:

¥1.65946

+100:

¥1.627951

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 停产

FET 类型: 2 个 P 沟道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 80V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.1A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 183 毫欧 2.1A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 19nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 879pF 40V

功率 - 最大值: 1.6W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 8-SOIC

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
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FDS8935_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 80V 2.1A 8SOIC

射频晶体管

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 停产

FET 类型: 2 个 P 沟道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 80V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.1A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 183 毫欧 2.1A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 19nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 879pF 40V

功率 - 最大值: 1.6W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 8-SOIC

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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FDS8935_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 80V 2.1A 8SOIC

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 停产

FET 类型: 2 个 P 沟道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 80V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.1A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 183 毫欧 2.1A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 19nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 879pF 40V

功率 - 最大值: 1.6W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 8-SOIC

温度: -55°C # 150°C(TJ)

FDS8935_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 80V 2.1A 8SOIC

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SOIC

FDS8935_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 80V 2.1A 8SOIC

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SOIC

Mouser
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FDS8935_未分类
FDS8935
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 80V 2.1A 8SOIC

未分类

+1:

¥24.125198

+10:

¥21.880993

+100:

¥17.112059

+500:

¥15.288643

+1000:

¥13.521332

库存: 0

货期:7~10 天

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

標準包裝數量: 2500

FDS8935参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: PowerTrench®
零件状态: 停产
FET 类型: 2 个 P 沟道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 80V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.1A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 183 毫欧 2.1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 19nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 879pF 40V
功率 - 最大值: 1.6W
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
供应商器件封装: 8-SOIC
温度: -55°C # 150°C(TJ)