FQPF6N80CT厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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搜索 FQPF6N80CT 共 8 条相关记录

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQPF6N80CT ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 5.5A TO-220F 下载数据手册未分类	+1：￥8.738421 +200：￥3.381937 +500：￥3.266405 +1000：￥3.21389	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： QFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 封装/外壳： TO-220-3 Full Pack 供应商器件封装： TO-220F

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQPF6N80CT VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FQPF6N80CT VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥6.357446 +1000：￥5.986658 +3000：￥5.721678 +5000：￥5.562852	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQPF6N80CT ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 5.5A TO220F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.567552 +10：￥11.293422 +100：￥9.079332 +500：￥7.459565	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： QFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 封装/外壳： TO-220-3 Full Pack 供应商器件封装： TO-220F

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQPF6N80CT ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 5.5A TO-220F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥30.743561 +10：￥27.626702 +100：￥22.210451 +500：￥18.248073	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： QFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 封装/外壳： TO-220-3 Full Pack 供应商器件封装： TO-220F
	FQPF6N80CT ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 5.5A TO220F 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tube Package / Case： TO-220-3 Full Pack Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 5.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 2.5Ohm @ 2.75A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 51W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 5V @ 250µA Supplier Device Package： TO-220F-3 Part Status： Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±30V Drain to Source Voltage (Vdss)： 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1310 pF @ 25 V
	FQPF6N80CT ON Semiconductor 授权代理品牌	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-220-3 Full Pack Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 5.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 2.5Ohm @ 2.75A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 51W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 5V @ 250µA Supplier Device Package： TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±30V Drain to Source Voltage (Vdss)： 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1310 pF @ 25 V
	FQPF6N80CT ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 5.5A TO220F 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tube Package / Case： TO-220-3 Full Pack Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 5.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 2.5Ohm @ 2.75A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 51W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 5V @ 250µA Supplier Device Package： TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±30V Drain to Source Voltage (Vdss)： 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1310 pF @ 25 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQPF6N80CT ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 5.5A TO-220F 下载数据手册晶体管	+1：￥36.748935 +10：￥30.705777 +100：￥24.335961 +250：￥22.539346 +500：￥20.579403	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装： Tube 封装/外壳： TO-220-3 系列： FQPF6N80C 产品种类： MOSFET 技术： Si 安装风格： Through Hole 晶体管极性： N-Channel 通道数量： 1 Channel Vds-漏源极击穿电压： 800 V Id-连续漏极电流： 5.5 A Rds On-漏源导通电阻： 2.5 Ohms Vgs - 栅极-源极电压： - 30 V, + 30 V Vgs th-栅源极阈值电压： 3 V Qg-栅极电荷： 30 nC Pd-功率耗散： 51 W 通道模式： Enhancement 商标： onsemi / Fairchild 配置： Single 下降时间： 44 ns 正向跨导 - 最小值： 5.4 S 高度： 16.3 mm 长度： 10.67 mm 产品类型： MOSFET 上升时间： 65 ns 晶体管类型： 1 N-Channel 典型关闭延迟时间： 47 ns 典型接通延迟时间： 26 ns 宽度： 4.7 mm 单位重量： 2 g 温度： - 55 C~+ 150 C

FQPF6N80CT参数规格

属性	参数值
系列:	QFET®
工作温度:	-55°C # 150°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
封装/外壳:	TO-220-3 Full Pack
供应商器件封装:	TO-220F